碳化硅领域近期利好消息不断，据财联社不完全统计，包括本周一至周三拿下三连板的东尼电子签大单三年交付量剑指90万片和芯片大厂英飞凌扩大碳化硅材料采购等；具体汇总如下表。
碳化硅（Sic）是突破性第三代半导体材料，与前两代半导体材料相比，以碳化硅制成的器件拥有良好的耐热性、耐压性和极低的导通能量损耗，是制造高压功率器件与高功率射频器件的理想材料。碳化硅下游应用包括新能源、光伏、储能、通信等领域。
东方财富证券周旭辉表示，主流车厂加速布局800V平台及碳化硅模块，800V强势催化打开碳化硅广阔空间。据Yole预计，全球碳化硅功率半导体市场规模将从2021年的11亿美元（73.98亿人民币）增长至2027年的63亿美元（423.75亿人民币），复合增速超过34％。
中国银河证券分析师高峰等12月13日发布的研报指出，从产业链层面初步划分，整个SiC产业链主要分为设备、衬底、外延、设计、器件和封装模块，国内多数厂家仅从事产业链部分环节，例如天岳先进专注衬底材料的演进，东莞天域和瀚天天成对外延部分研究比较深入，国内多家功率器件企业如三安光电、士兰微等已入局SiC赛道。
碳化硅行业三个重点环节（衬底、外延和器件）中，衬底在产业链中价值量占比最高，接近50％。海通证券分析师余伟民2022年12月31日发布的研报指出，衬底是碳化硅产业链的核心，衬底行业的发展也是未来碳化硅产业降本、大规模产业化的主要驱动力。
余伟民指出，目前碳化硅衬底市场以海外厂商为主导，国内企业市场份额较小。国内尺寸迭代较海外厂商略慢一筹，但近年来发展提速明显。山西烁科为首家宣布可制备8英寸SiC衬底。截至2022年11月，晶盛机电、天岳先进、天科合达分别宣布掌握8英寸碳化硅衬底制备技术。我们认为，随着国内衬底产品日益成熟、扩产进度逐渐加速，中国衬底厂商有望重塑行业格局，未来在碳化硅衬底环节占领一席之地。
根据华经产业研究院援引Yole数据，2020年上半年，碳化硅衬底市场（半绝缘和导电型）Wolfspeed市占率达到45％以上，国内龙头天科合达和天岳先进的合计市场份额不到10％。天岳先进、烁科晶体（中电科孵化）、河北同光（中科院半导体所孵化）现有主要产品为高纯半绝缘衬底，而天科合达（中科院物理所孵化）、世纪金光主要产品为导电型衬底。
据方正证券测算，2026年全球SiC衬底有效产能为330万片，距同年629万片的衬底需求量仍有较大差距。在业内形成稳定且较高的良率规模化出货前，整个行业都将持续陷于供不应求。