存储芯片市场以 NAND Flash 和 DRAM 为主，两者合计占比超过九成。包括中国在内的全球NAND市场目前被6家海外厂商瓜分，三星、铠侠、美光等六家厂商合计市场占有率在95%左右。
2023年全球存储芯片价格暴跌
2023年第一季度铠侠、美光产线持续低负载，西部数据、SK海力士、三星等将跟进减产，有机会缓解目前供给过剩的情况，NAND Flash 均价跌幅也收敛至 10%-15%。
据韩国媒体报道称，三星电子DS部门和SK海力士今年第一季度的赤字(支出大于收入的差额)均将超过4万亿韩元(约合人民币208.8亿元)。
由于全球半导体市场经济持续低迷，需求不振与库存过剩无法避免，因此业绩大幅下降已成定局。
在这之前，路透社就报道称，三星电子第一季度利润预计将暴跌92%至14年来的最低水平，原因是芯片过剩情况恶化，以及数据中心和计算机制造商等买家在全球经济放缓的情况下放缓采购。
三星电子拟削减存储芯片产量
三星电子7日披露初步核实数据，按合并财务报表口径，今年第一季度实现营业利润6000亿韩元(约合人民币31.3亿元)，同比锐减95.8%。销售额为63万亿韩元，同比下滑19%。
报道称，这是继2009年第一季度(5900亿韩元)之后三星电子的单季营业利润时隔14年再次跌破1万亿韩元。分析认为，这主要是受到去年下半年起半导体需求减弱的影响，进而导致产品滞销和价格下降比市场预期更为严重。
另据彭博报道，三星电子表示，在报告了自2009年全球金融危机以来的最低利润后，正在削减存储芯片产量。据估计，三星电子在其存储芯片部门损失了约30亿美元。
根据中研普华研究院《2023-2028年半导体存储卡行业市场深度分析及发展策略研究报告》显示：
随着应用对AI的依赖度增加，需要HBM的加入来支援硬件。
据媒体报道，2023年开年后三星、SK海力士两家存储大厂HBM订单快速增加，价格也水涨船高，据悉近期HBM3规格DRAM价格上涨5倍。HBM(高带宽内存)是基于3D堆叠工艺的DRAM内存芯片技术，大幅提升数据处理速度，ChatGPT发展带动第三代HBM报价大涨。