离子注入是指当真空中有一束离子束射向一块固体材料时，离子束把固体材料的原子或分子撞出固体材料表面，这个现象叫做溅射;而当离子束射到固体材料时，从固体材料表面弹了回来，或者穿出固体材料而去，这些现象叫做散射;另外有一种现象是，离子束射到固体材料以后，受到固体材料的抵抗而速度慢慢减低下来，并最终停留在固体材料中的这一现象叫作离子注入。
在电子工业中，离子注入成为了微电子工艺中的一种重要的掺杂技术，也是控制MOSFET阈值电压的一个重要手段。因此在当代制造大规模集成电路中，可以说是一种必不可少的手段。
离子注入行业市场发展现状分析
离子注入的方法就是在真空中、低温下，把杂质离子加速(对Si，电压≥105 V)，获得很大动能的杂质离子即可以直接进入半导体中;同时也会在半导体中产生一些晶格缺陷，因此在离子注入后需用低温进行退火或激光退火来消除这些缺陷。离子注入的杂质浓度分布一般呈现为高斯分布，并且浓度最高处不是在表面，而是在表面以内的一定深度处。
离子注入的优点是能精确控制杂质的总剂量、深度分布和面均匀性，而且是低温工艺(可防止原来杂质的再扩散等)，同时可实现自对准技术(以减小电容效应)。
根据中研普华产业研究院发布的《2020-2025年中国离子注入行业市场发展前景预测与投资战略规划研究报告》显示：
在工艺流程中，光刻的下一道工序就是刻蚀或离子注入。在做离子注入时，有光刻胶保护的地方，离子束无法穿透光刻胶;在没有光刻胶的地方离子束才能被注入到衬底中实现掺杂。因此，用于离子注入工艺的光刻胶必须要能有效地阻挡离子束。
根据中国海关数据显示，2019年1-12月中国制造半导体器件或集成电路用的离子注入机进口数量为171台，进口金额为40068.56万美元;2019年1-12月制造半导体器件或集成电路用的离子注入机出口数量为74台，出口金额为425.9万美元。2015-2019年中国制造半导体器件或集成电路用的离子注入机进口数量与进口金额总体呈上升趋势;2015-2019年中国制造半导体器件或集成电路用的离子注入机出口数量与出口金额均在2018年达到最高值。
2015-2019年中国制造半导体器件或集成电路用的离子注入机出口金额小于进口金额，进出口逆差规模2019年扩大至最大值;2015-2019年中国制造半导体器件或集成电路用的离子注入机进口平均单价波动明显，涨跌幅度较大，出口平均单价均小于进口平均单价。