完全自主产权!高性能国产MCU发布:RISC-V架构、频率高达600MHz

2月17日,高性能嵌入式解决方案领导厂商上海先楫半导体(HPMicro)宣布,推出全新的通用微控制器(MCU) HPM6200系列,主要面向工业和汽车领域,拥有超强的CPU性能、创新的实时控制外设、工业和车规级的品质。

据悉,先楫HPM6200系列基于团队多年的产品和应用经验积累,从IP设计、架构到软件,都经过了深度优化,是一款拥有完全自主产权的高性能MCU产品。

它有望打破国外大厂在新能源、储能等领域筑起的高壁垒,真正解决卡脖子的问题。

完全自主产权!高性能国产MCU发布:RISC-V架构、频率高达600MHz

HPM6200系列共有12产品型号,均基于开放的RISC-V指令集架构,可选单核、双核,可选144 LQFP、116 BGA两种封装(与已量产的HPM6300系列兼容),可选内置4MB闪存或无闪存,全线通过AEC-Q100认证,工作温度范围从零下40℃到125℃。

其中,双核型号主频达到600MHz,支持双精度浮点运算、强大DSP扩展,性能达到6780 CoreMark、3420 DMIPS,可在1微秒内完成基于矢量控制的电流控制环路运算。

集成32KB IO高速缓存,双核共有512KB零等待指令和数据本地存储器(ILM/DLM),还有256KB的通用SRAM,可以避免低速外部存储器引发的性能损失。

集成4组8通道增强型PWM控制器,其中2组高分辨率PWM调制精度高达100ps,提升了系统控制精度,还可以单芯片控制多轴电机,或者单芯片实现复杂拓扑的数字电源。

集成2个可编程逻辑阵列PLA,灵活实现组合逻辑和时序逻辑器件互联,在芯片内实现用户独有的功能电路设计。

集成3个2MSPS 16位高精度ADC,配置为12位精度时转换率可达4MSPS,支持多达24个模拟输入通道。

集成4个模拟比较器、2个1MSPS 12位DAC。

集成Σ-Δ数字滤波SDM,包含SINC数字滤波器,可外接4路ΣΔ调制器,实现带隔离的高精度电流和电压信号采集。

集成多种通讯接口,包括1个内置PHY物理层的高速USB、4路CAN-FD、4路LIN,以及丰富的UART、 SPI、I2C等。

完全自主产权!高性能国产MCU发布:RISC-V架构、频率高达600MHz

HPM6200系列兼容先楫半导体已有的生态系统,包括全免费的商用集成开发环境Segger Embedded Studio,基于BSD许可证的SDK。

其中包含底层驱动、中间件和RTOS, 例如流行的开源项目lwIP、TinyUSB、CherryUSB、FreeRTOS、TensorFlow Lite for MCU,以及完全自主研发的高性能电机控制库等,而且全都会开源。

(责任编辑:AK007)