早前，SPIE 高级光刻会议隆重举行，应用材料公司在会议上宣布了他们的 Sculpta 图案成形工具，这在媒体中引起狂呼我，有人甚至以为ASML的EUV终于迎来了对手。
但在本文作者Scotten Jones看来，这个设备远非革命性的。上周，他还采访了先进产品集团（Advanced Products Group ）的董事总经理兼总经理 Steven Sherman，并讨论了新工具。
介绍
曝光系统的分辨率由瑞利准则给出：
R =k1λ/NA
其中k 1是工艺相关因素，λ是曝光波长，NA是光学系统的数值孔径。
半导体行业不断向更小的尺寸发展，以实现更大的晶体管/位密度。
随着 EUV 延迟多年，DUV 通过多种技术得到扩展，其中多次曝光相结合以创建比单次曝光更高分辨率的图案。
一旦 EUV 进入生产，多重图案化在许多情况下被单一 EUV 曝光所取代。
根据瑞利标准，当前 0.33 NA EUV 系统的最终分辨率应该约为 20 纳米，但我们目前还远未意识到这一点。
ASML 在工厂用简单的一维图案在平坦晶圆上测试 EUV 系统至 26nm，但在生产中 30nm 是当前的实际限制，即使那样，在某些情况下，尖端到尖端的要求可能需要额外切割或块掩码。
对于单次 EUV 曝光，尖端到尖端的间距目前限制在大约 25 到 30 纳米，并且需要第二个 EUV 掩模才能达到 15 到 20 纳米的尖端到尖端。下一代工艺将需要多个 EUV 多重图案化层。Sculpta 工具旨在解决这种情况。
应用材料的介绍
在他们的演示中，Applied Materials 描述了两个常见的案例，其中两个 EUV 掩模用于创建图案。
第一个是通过 EUV 掩模形成密集互连线，然后使用第二个 EUV 掩模切割或阻挡图案以在正交方向上实现紧密的尖端到尖端。
第二种情况是，一个 EUV 掩模用于创建细长接触阵列，然后使用第二个 EUV 掩模创建第二个接触阵列，与第一个阵列相比，尖端到尖端的间距更小。细长的触点对于降低对放置错误与线路的敏感性是可取的。
Applied Materials 在他们的演示中展示了一个简化的光刻-蚀刻光刻-蚀刻工艺流程，该流程使用两个 EUV 掩模结合两个蚀刻来创建图案，见图 1。
图 1. EUV 双图形工艺流程。
在图 1 中，说明了两次光刻蚀刻。在每次通过沉积步骤时沉积薄膜，薄膜被平面化，光刻图案形成并测量，图案被蚀刻到薄膜中，然后被清洗并再次测量。Applied Materials 将每次光刻蚀刻过程的成本描述为大约 70 美元。
单次 EUV 曝光成本大约是整个光刻通过成本 70 美元的 2 倍，整个光刻通过成本是 Applied Materials 保守估计的 70 美元的几倍。通过关联处理消除 EUV 曝光具有很大的价值。