SiC器件后，新能源汽车逆变器效率可以大幅提升，相同续航下对电池容量需求降低，以及实现系统冷却体积和重量的优化，有效降低SiC器件本身带来的成本增加。
SiC功率器件主要应用于主驱逆变器、OBC、DC/DC车载电源转换器和大功率DC/DC充电器领域。随着未来800V电压平台推出，在大功率，大电流条件下减少损耗、增大效率和减小器件尺寸，电机控制器的主驱逆变器将不可避免从硅基IGBT替换为SiC基MOS模块，存量替代市场空间巨大。
2023SiC和GaN功率器件行业市场投资分析?存量替代市场空间巨大
《中国制造2025》将集成电路的发展上升为国家战略，2014年6月公布了《国家集成电路产业发展推进纲要》，半导体产业及相关材料将在我国将受到充分的政策优惠。中国未来的半导体行业将有着良好的政策支持。相比硅基，SiC材料在热导率、开关频率、电子迁移率和击穿场强均具备优势，因此SiC材料具备更高效率和功率密度。从产业链来看，衬底是价值链核心，在成本SICSBD器件中，衬底价值量占比达到47%。从SiC材料适用范围来看，碳化硅器件可广泛应用于高压、高频和大电流场景，因此十分适合光伏、新能源车和5G通信领域。
sic器件行业市场需求前景广阔。预计到2025年新能源汽车市场对6英寸碳化硅晶圆需求将达到169万片。目前，电动车已成为碳化硅的核心应用场景，其中OBC(车载充电器)和DC-DC转换器组件对于SiC器件的应用已相对成熟，而基于SiC的主驱逆变器仍未进入大规模量产阶段。
SiC产业链已经相对完善，从衬底到外延，国内和国际都有生产的企业，并且主要以IDM企业为主，纯Fabless和Foundry企业的数量较少。SiC器件的漂移区电阻要比硅低200倍，即使高耐压的 SiC场效应管的导通压降，也比单极型、双极型硅器件的低得多。而且，SiC器件的开关时间可达10nS量级，并具有十分优越的 FBSOA。
根据中研普华研究院撰写的《2022-2027年中国SiC和GaN功率器件行业市场环境与投资分析报告》显示：
SiC的发现始于1824年的瑞典科学家J.J.Berzelius，但是鉴于当时硅(Si)技术的卓越发展，SiC的研究工作没有再进一步。直到20实际90年代，Si基电力电子装置出现了性能瓶颈，再次激发了相关机构对SiC材料的研究兴趣。同时SiC功率器件广泛用于新能源汽车、光伏、轨道交通等领域，未来市场增速能够得到保证。