在射频芯片领域，市场主要被海外巨头所垄断，海外的主要公司有Qorvo，skyworks和Broadcom;国内射频芯片方面，没有公司能够独立支撑IDM的运营模式，主要为Fabless设计类公司;国内企业通过设计、代工、封装环节的协同，形成了“软IDM”的运营模式。射频芯片设计方面，国内公司在5G芯片已经有所成绩，具有一定的出货能力。射频芯片设计具有较高的门槛，具备射频开发经验后，可以加速后续高级品类射频芯片的开发。
目前，具备射频芯片设计的公司有紫光展锐、唯捷创芯、中普微、中兴通讯、雷柏科技、华虹设计、江苏钜芯、爱斯泰克等。在整个射频前端芯片/模组的产业链中，中国在其中的参与程度目前仍然很低。目前全球前五大射频厂商分别是：Murata(IDM)，Skyworks(IDM)，Qorvo(IDM)，Broadcom/Avago(Fabless，除滤波器外)，Qualcomm/TDK Epcos(Fabless);主流的射频芯片代工厂包括稳懋(中国台湾)，global foundry，towerjazz等。与此同时，随着射频前端器件的数量和复杂度大幅增加，射频前端模组化已经成为产业趋势。
4G到5G，射频也向模组化、高集成化发展。4G向5G切换，智能手机支持的频段数跨越式增长，从而带来对射频器件更多的需求。同时支持4G/5G的模组技术难度和价值量都最高。无论是发射端还是接收端，同时支持4G/5G的模组技术难度和复杂度高于单纯5G射频前端模组，因此价值量也更高。
据中研普华产业院研究报告《2023-2028年中国射频芯片行业市场深度调研与竞争预测报告》分析：
射频芯片代工方面，台湾已经成为全球最大的化合物半导体芯片代工厂，台湾主要的代工厂有稳懋、宏捷科和寰宇，国内仅有三安光电和海威华芯开始涉足化合物半导体代工。三安光电是国内目前国内布局最为完善，具有GaAs HBT/pHEMT和GaNSBD/FET工艺布局，目前在于国内200多家企事业单位进行合作，有10多种芯片通过性能验证，即将量产。海威华芯为海特高新控股的子公司，与中国电科29所合资，目前具有GaAs0.25umPHEMT工艺制程能力。射频芯片封装方面，5G射频芯片一方面频率升高导致电路中连接线的对电路性能影响更大，封装时需要减小信号连接线的长度;另一方面需要把功率放大器、低噪声放大器、开关和滤波器封装成为一个模块，一方面减小体积另一方面方便下游终端厂商使用。为了减小射频参数的寄生需要采用Flip-Chip、Fan-In和Fan-Out封装技术。