据1月9日报道，业内此前传出三星电子准备将12月3D NAND报价调涨10%，供应链业内人士透露，已有部分中国客户接受涨价。
由于NAND Flash历经2022下半年剧烈跌价，此前三大NAND生产厂商Intel、美光以及SK海力士已经共同宣布将采取手段遏制供大于求的现状;其中美光、铠侠先后宣布开始减产，幅度在20%-30%之间。
光大证券表示，2022年全球NAND闪存市场规模约为585.13亿美元，与DRAM市场(595.82亿美元)相近，预计到2025年，NAND市场规模将达到843.78亿美元，有望首次超过DRAM市场(833.97亿美元)。主要得益于需求弹性更高，成长速度更为陡峭。
国融证券表示，伴随行业产能出清，叠加上半年消费电子景气周期有望触底，存储芯片目前或已处于周期底部，行业景气反转可期。
NAND闪存行业市场调研
NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备，在不超过4GB的低容量应用中表现得尤为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品，NAND被证明极具吸引力。NAND闪存是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据。它的发展目标就是降低每比特存储成本、提高存储容量。
NAND行业进入门槛高，存在技术、产业整合、客户认可、资金和规模、人才五大壁垒。NANDFlash生产对性能和产品指标要求高，且需要与先进封装技术和工艺制程相互协同，具有一定的技术壁垒和产品整合。
行业前期投入研发费用高昂，对投入资金、高端人才和企业规模均提出了更高要求。由于产品验证周期长，各厂之间的合作关系稳定，新厂商进入难度大。
NAND闪存是存储器市场的第二大细分市场，占存储器市场规模的比例高达42%。2020年，全球半导体市场规模4402亿美元，存储器市场规模为1172亿美元，NAND闪存市场规模为494亿美元。
之前，NAND闪存一直基于二维平面的NAND技术，也就是我们说的2DNAND闪存。2D在平面上对晶体管尺寸进行微缩，从而获得更高的存储密度，但晶体管尺寸微缩遇到物理极限，现已面临瓶颈，达到发展极限。为了在维持性能的情况下实现容量提升，3DNAND成为发展主流。
3DNAND把解决思路从单纯提高制程工艺转变为堆叠多层，成功解决了平面NAND在增加容量的同时性能降低的问题，实现容量、速度、能效及可靠性等全方位提升。
2019年，3DNAND的渗透率为72.6%，已远超2DNAND，且未来仍将持续提高，预计2025年3DNAND将占闪存总市场的97.5%。